企业简介
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苏州英诺迅科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 7577930 |  |
RFINT | 2009-07-28 | 半导体；印刷电路；集成电路；集成电路块；电子芯片；放大器；晶体管(电子)；超高频管；半导体器件 | 查看详情 |
苏州英诺迅科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104104341B | 热分流式微波功率放大器 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种热分流式微波功率放大器，包括若干并联设置的功率单元，每个功率单元包括若干晶体管，晶体 |
| 2 | CN103269205B | 一种功率放大器 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种功率放大器，包括输入匹配电路、输出匹配电路及功率放大单元，功率放大单元包括N个晶体管 |
| 3 | CN101882912A | 线性度和功率附加效率提高的射频CASCODE结构功率放大器 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种线性度和功率附加效率提高的射频Cascode结构功率放大器，包括由共射的输入晶体管和 |
| 4 | CN101882913A | 提高功率放大器线性度和功率附加效率的电路 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种提高功率放大器线性度和功率附加效率的电路，所述功率放大器为由共射极晶体管与共基极晶体 |
| 5 | CN101882914A | 效率和线性度提高的功率放大器 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种效率和线性度提高的功率放大器，所述功率放大器为由共射极晶体管与共基极晶体管串叠构成的 |
| 6 | CN101882911A | 提高功率放大器线性度及功率附加效率的滤波电路 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种提高功率放大器线性度及功率附加效率的滤波电路，所述滤波电路应用在由共射极晶体管与共基 |
| 7 | CN101882910A | 提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路，包括功率放大结构，所述功率放大结构的输入 |
| 8 | CN101879493A | 超声波聚焦液体喷雾器 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种超声波聚焦液体喷雾器，包括液体容器以及设于液体容器外表面的换能器，所述液体容器上设有 |
| 9 | CN101882915A | 线性度提高的推挽式射频功率放大器 | 2010.11.10 | 本发明公开了一种线性度提高的推挽式射频功率放大器，包括与功率放大器输入端连接的输入匹配网络、与功率放 |
| 10 | CN204013417U | 热分流式微波功率放大器 | 2014.12.10 | 本实用新型公开了一种热分流式微波功率放大器，包括若干并联设置的功率单元，每个功率单元包括若干晶体管， |
| 11 | CN104104341A | 热分流式微波功率放大器 | 2014.10.15 | 本发明公开了一种热分流式微波功率放大器，包括若干并联设置的功率单元，每个功率单元包括若干晶体管，晶体 |
| 12 | CN102593171B | 射频横向扩散P型MOS管及其制造方法 | 2014.09.17 | 本发明实施例公开了一种射频横向扩散P型MOS管及其制造方法，所述射频横向扩散P型MOS管包括：衬底和 |
| 13 | CN203313126U | 一种改善功率放大器自加热效应的电路 | 2013.11.27 | 本实用新型提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个 |
| 14 | CN203313124U | 一种提高功率放大器功率附加效率的电路 | 2013.11.27 | 本实用新型提供一种提高功率放大器功率附加效率的电路，包括：功率单元和偏置模块；功率单元中的晶体管的基 |
| 15 | CN203313133U | 一种功率放大器 | 2013.11.27 | 本实用新型公开了一种功率放大器，包括输入匹配电路、输出匹配电路及功率放大单元，功率放大单元包括N个晶 |
| 16 | CN103338009A | 一种提高功率放大器功率附加效率的电路 | 2013.10.02 | 本发明提供一种提高功率放大器功率附加效率的电路，包括：功率单元和偏置模块；功率单元中的晶体管的基极均 |
| 17 | CN103338010A | 一种改善功率放大器自加热效应的电路 | 2013.10.02 | 本发明提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质 |
| 18 | CN103269205A | 一种功率放大器 | 2013.08.28 | 本发明公开了一种功率放大器，包括输入匹配电路、输出匹配电路及功率放大单元，功率放大单元包括N个晶体管 |
| 19 | CN102254946B | 一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法 | 2013.07.10 | 本发明公开了一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法，在N型漂移区上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，阶梯浅 |
| 20 | CN101888212B | 提高功率放大器线性度及功率附加效率的电路结构 | 2012.10.31 | 本发明公开了一种提高Cascode功率放大器线性度及功率附加效率的电路结构，所述功率放大器设有输入晶 |
| 21 | CN102740504A | 一种WiFi通信系统及方法 | 2012.10.17 | 本发明公开了一种WiFi通信系统，包括：与WiFi芯片相连的WiFi信号发射机，用于对WiFi芯片输 |
| 22 | CN101882915B | 线性度提高的推挽式射频功率放大器 | 2012.10.03 | 本发明公开了一种线性度提高的推挽式射频功率放大器，包括与功率放大器输入端连接的输入匹配网络、与功率放 |
| 23 | CN101888215B | 具有可调预失真功能的射频功率放大器电路 | 2012.09.26 | 本发明公开了一种具有可调预失真功能的射频功率放大器电路，包括射极跟随器结构的晶体管，所述晶体管的基极 |
| 24 | CN102693433A | 一种射频识别系统 | 2012.09.26 | 本发明公开了一种RFID系统，该系统中的本振模块为小数分频频率合成器。所述的小数分频频率合成器为基于 |
| 25 | CN102655434A | 射频功率放大器功率检测装置 | 2012.09.05 | 本发明公开了一种射频功率放大器功率检测装置，包括：隔直单元；输入端与所述隔直单元的输出端相连接的功率 |
| 26 | CN102593171A | 射频横向扩散P型MOS管及其制造方法 | 2012.07.18 | 本发明实施例公开了一种射频横向扩散P型MOS管及其制造方法，所述射频横向扩散P型MOS管包括：衬底和 |
| 27 | CN202134018U | 一种射频识别系统 | 2012.02.01 | 本实用新型公开了一种RFID系统，该系统中的本振模块为小数分频频率合成器。所述的小数分频频率合成器为 |
| 28 | CN202075340U | 射频功率放大器功率检测装置 | 2011.12.14 | 本实用新型公开了一种射频功率放大器功率检测装置，包括：隔直单元；输入端与所述隔直单元的输出端相连接的 |
| 29 | CN202077017U | 一种WiFi通信系统 | 2011.12.14 | 本实用新型公开了一种WiFi通信系统，包括：与WiFi芯片相连的WiFi信号发射机，用于对WiFi芯 |
| 30 | CN102255608A | 一种大动态范围自动增益调节电路 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种大动态范围自动增益调节电路，包括可变增益放大器、功率检波电路和运算放大电路；功率检波 |
| 31 | CN102254946A | 一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种射频横向扩散N型MOS管及其制造方法，在N型漂移区上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，阶梯浅 |
| 32 | CN102255605A | 用于射频功率放大器的可调有源偏置电路 | 2011.11.23 | 本发明公开了用于射频功率放大器的可调有源偏置电路，第三三极管的发射极通过第三电阻连接射频晶体管的基极 |
| 33 | CN102255301A | 一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，包括片外ESD保护电路和键合线，所述键合线 |
| 34 | CN102255630A | WiFi跳频远距离传输模块 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种WiFi跳频远距离传输模块，包括天线、收发开关和WiFi芯片，还包括跳频发射通道和跳 |
| 35 | CN202034979U | 一种中继器 | 2011.11.09 | 本实用新型公开了一种中继器，其特征在于，包括匹配器、单向声表面波滤波器和功率放大器，所述中继器的输入 |
| 36 | CN101673944B | 抗强电磁脉冲干扰的防护电路 | 2011.10.05 | 本发明公开了一种抗强电磁脉冲干扰的防护电路，包括大电流开关电路、保护电路、触发电路；所述触发电路的输 |
| 37 | CN201956679U | 一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，包括片外ESD保护电路和键合线，所述键 |
| 38 | CN201956980U | 一种大动态范围自动增益调节电路 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了一种大动态范围自动增益调节电路，包括可变增益放大器、功率检波电路和运算放大电路；功率 |
| 39 | CN201956978U | 用于射频功率放大器的可调有源偏置电路 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了用于射频功率放大器的可调有源偏置电路，第三三极管的发射极通过第三电阻连接射频晶体管的 |
| 40 | CN201957015U | WiFi跳频远距离传输模块 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了一种WiFi跳频远距离传输模块，包括天线、收发开关和WiFi芯片，还包括跳频发射通道 |
| 41 | CN201936885U | 射频横向扩散P型MOS管 | 2011.08.17 | 本实用新型实施例公开了一种射频横向扩散P型MOS管，所述射频横向扩散P型MOS管包括：衬底和外延层； |
| 42 | CN201918388U | 一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线 | 2011.08.03 | 本实用新型公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮 |
| 43 | CN102142882A | 一种中继器 | 2011.08.03 | 本发明公开了一种中继器，其特征在于，包括匹配器、单向声表面波滤波器和功率放大器，所述中继器的输入端通 |
| 44 | CN201918391U | 一种射频横向扩散N型MOS管 | 2011.08.03 | 本实用新型公开了一种射频横向扩散N型MOS管，在N型漂移区上设有阶梯浅沟槽隔离氧化层，阶梯浅沟槽隔离 |
| 45 | CN102142451A | 一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线 | 2011.08.03 | 本发明公开了一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有第一缓 |
| 46 | CN102142452A | 一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线 | 2011.08.03 | 本发明公开了一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有氮化镓 |
| 47 | CN201893341U | 一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线 | 2011.07.06 | 本实用新型公开了一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线，包括基片，其特征在于：所述基片上设有第 |
| 48 | CN201744425U | 超声波聚焦液体喷雾器 | 2011.02.16 | 本实用新型公开了一种超声波聚焦液体喷雾器，包括液体容器以及设于液体容器外表面的换能器，所述液体容器上 |
| 49 | CN201733278U | 提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路 | 2011.02.02 | 本实用新型公开了一种提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路，包括功率放大结构，所述功率放大结构的 |
| 50 | CN201733280U | 线性度和功率附加效率提高的射频CASCODE结构功率放大器 | 2011.02.02 | 本实用新型公开了一种线性度和功率附加效率提高的射频Cascode结构功率放大器，包括由共射的输入晶体 |
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